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申请/专利权人：东京毅力科创株式会社
摘要：本发明提供控制方法和等离子体处理装置。一种具有载置被处理体的第一电极的等离子体处理装置的控制方法，其包括：对上述第一电极供给偏置功率的步骤；和将具有比上述偏置功率高的频率的生成源功率供给到等离子体处理空间的步骤，上述生成源功率具有第一状态和第二状态，上述控制方法包括第一控制步骤，该第一控制步骤与基准电气状态的一周期内的相位同步地交替施加上述第一状态和上述第二状态，其中上述基准电气状态表示由上述偏置功率的供电系统测量出的电压、电流或电磁场的任一者。
主权项：1.一种等离子体处理装置，其特征在于，包括：载置基片的第一电极；第一高频电源，其能够生成具有第一偏置频率的偏置功率，所述第一偏置频率的波形具有周期，在过零点处被分为第一半周期和第二半周期；第二高频电源，其能够生成具有比所述第一偏置频率高的可变的生成源频率的生成源功率；和控制部，其能够控制所述第二高频电源，以使得在所述第一偏置频率的波形的所述第一半周期的期间以第一生成源频率供给所述生成源功率，以在所述第一偏置频率的波形的所述第二半周期整体中变化的第二生成源频率供给所述生成源功率，所述偏置功率和所述生成源功率被供给到所述第一电极，所述过零点是所述第一偏置频率的波形的所述周期中的点，该过零点的电位为0伏，所述控制部能够在所述第二半周期的第一部分的期间使所述第二生成源频率增加，在所述第二半周期的第二部分的期间使所述第二生成源频率减少，所述第二半周期的所述第二部分在时间上晚于所述第二半周期的所述第一部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体处理装置、等离子体处理方法和存储介质
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