申请/专利权人：华南理工大学

申请日：2024-02-01

公开（公告）日：2024-06-21

公开（公告）号：CN117938153B

主分类号：H03L7/095

分类号：H03L7/095;H03L7/089;H03K19/0175

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.21#授权;2024.05.14#实质审查的生效;2024.04.26#公开

摘要：本发明公开了一种锁相环温度检测以及改善振幅和相噪的方法，涉及锁相环的辅助技术，针对现有技术中调谐电压因为温度变化而脱离正常区间的问题提出本方案。在调谐电压稳定时，根据调谐电压与调谐区间的关系限调整VCO中交叉耦合对的有效宽长比。优点在于，可以根据调谐电压变化检测温度变化的情况，并且根据温度变化幅度分档次改变接入VCO交叉耦合对的有效宽长比以进行振幅和相噪的改善。

主权项：1.一种锁相环温度检测以及改善振幅和相噪的电路，其特征在于，结构具体如下：调谐电压（Vcont）分别接入第一比较器（COM1）反相输入端、第二比较器（COM2）同相输入端、第三比较器（COM3）反相输入端、第四比较器（COM4）同相输入端、延迟单元输入端、以及减法单元反相输入端；所述延迟单元输出端连接减法单元同相输入端；减法单元输出端连接第五比较器（COM5）反相输入端，第五比较器（COM5）同相输入端连接参考电压（Vref）；所述第一比较器（COM1）同相输入端连接第一下限电压（VL0），第一比较器（COM1）输出端连接第一与门（AND1）第一输入端；所述第二比较器（COM2）反相输入端连接第一上限电压（VH0），第二比较器（COM2）输出端连接第二与门（AND2）第一输入端；所述第三比较器（COM3）同相输入端连接第二下限电压（VL1），第三比较器（COM3）输出端连接第三与门（AND3）第一输入端；所述第四比较器（COM4）反相输入端连接第二上限电压（VH1），第四比较器（COM4）输出端连接第四与门（AND4）第一输入端；所述第五比较器（COM5）输出端分别连接第一与门（AND1）第二输入端、第二与门（AND2）第二输入端、第三与门（AND3）第三输入端、第四与门（AND4）第四输入端；所述第一与门（AND1）输出端输出第一控制信号（S1）；所述第二与门（AND2）输出端输出第二控制信号（S2）；所述第三与门（AND3）输出端输出第三控制信号（S3）；所述第四与门（AND4）输出端输出第四控制信号（S4）；第一晶体管（M01）漏极、第二晶体管（M02）漏极、第三晶体管（M03）漏极、第四晶体管（M04）漏极分别与VCO中的第二输出晶体管（M0P）漏极短接；第一晶体管（M01）源极、第二晶体管（M02）源极、第三晶体管（M03）源极、第四晶体管（M04）源极分别与VCO中的第二输出晶体管（M0P）源极短接；第五晶体管（M05）漏极、第六晶体管（M06）漏极、第七晶体管（M07）漏极、第八晶体管（M08）漏极分别与VCO中的第一输出晶体管（M0N）漏极短接；第五晶体管（M05）源极、第六晶体管（M06）源极、第七晶体管（M07）源极、第八晶体管（M08）源极分别与VCO中的第一输出晶体管（M0N）源极短接；第一晶体管（M01）和第五晶体管（M05）在第一控制信号（S1）为低时导通，第二晶体管（M02）和第六晶体管（M06）在第三控制信号（S3）为低时导通，第三晶体管（M03）和第七晶体管（M07）在第二控制信号（S2）为高时导通，第四晶体管（M04）和第八晶体管（M08）在第四控制信号（S4）为高时导通；第二上限电压（VH1）大于第一上限电压（VH0）大于第一下限电压（VL0）大于第二下限电压（VL1）。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 华南理工大学 一种锁相环温度检测以及改善振幅和相噪的方法、电路

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