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申请/专利权人：扬州乾照光电有限公司
申请日：2021-12-03
公开（公告）日：2024-06-21
公开（公告）号：CN114156383B
主分类号：H01L33/06
分类号：H01L33/06;H01L33/00;H01L33/12;H01L33/30
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.21#授权;2022.03.25#实质审查的生效;2022.03.08#公开
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面的外延结构，所述外延结构具有多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层；设置于所述外延结构背离所述第一表面一侧表面的第一功能层；设置于所述第一功能层背离所述外延结构表面的有源层；设置于所述有源层背离所述第一功能层表面的第二功能层。由此可知，本方案采用多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层代替传统的GaAs缓冲层，不仅可以削弱衬底缺陷和杂质对外延结构的影响，还可以降低反应室环境的本底杂质浓度以及氧元素残留，为生长高质量外延材料提供条件，同时降低成本和生长时间。
主权项：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有相对的第一表面和第二表面；设置于所述第一表面的外延结构，所述外延结构具有多层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层；其中，所述外延结构具有2-20层交替设置的第一吸杂层和第二吸杂层；所述第一吸杂层和所述第二吸杂层均为N型吸杂层；设置于所述外延结构背离所述第一表面一侧表面的第一功能层；设置于所述第一功能层背离所述外延结构表面的有源层；设置于所述有源层背离所述第一功能层表面的第二功能层；其中，所述第一功能层为P型功能层，所述第二功能层为N型功能层；或者，所述第一功能层为N型功能层，所述第二功能层为P型功能层；所述N型功能层包括：设置于所述外延结构背离所述半导体衬底表面的腐蚀截止层；设置于所述腐蚀截止层背离所述外延结构表面的N型欧姆接触层；设置于所述N型欧姆接触层背离所述腐蚀截止层表面的粗化层；设置于所述粗化层背离所述N型欧姆接触层表面的N型电流扩展层；设置于所述N型电流扩展层背离所述粗化层表面的N型限制层；所述P型功能层包括：设置于所述有源层背离所述第一功能层表面的P型限制层；设置于所述P型限制层背离所述有源层表面的P型电流扩展层；设置于所述P型电流扩展层背离所述P型限制层表面的P型欧姆接触层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 扬州乾照光电有限公司 半导体器件及其制作方法
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