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【发明授权】不复位控制芯片的固件实时更新方法、系统及存储介质_广东高斯宝电气技术有限公司_202410061190.1 

申请/专利权人:广东高斯宝电气技术有限公司

申请日:2024-01-16

公开(公告)日:2024-06-21

公开(公告)号:CN117573175B

主分类号:G06F8/654

分类号:G06F8/654;G06F8/656

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.21#授权;2024.03.08#实质审查的生效;2024.02.20#公开

摘要:本发明公开了不复位控制芯片的固件实时更新方法、系统及存储介质,所述方法包括以下步骤:控制芯片的两个独立的闪存分区内存储更新前后的应用程序代码和分区交换代码,控制芯片上电,从第一闪存分区启动,执行Bank交换指令;控制芯片执行第一闪存分区的第二只读闪存分区的分区交换代码,并开启内存重映射控制功能,中央处理器CPU状态维持不变,控制芯片从第二闪存分区获取并执行下一条指令,引导至第二闪存分区的第一只读闪存分区ROM1,执行更新后的应用程序代码。控制芯片在执行旧固件应用程序功能的同时,对闪存分区进行新固件的编程,并通过内存重映射功能无缝交换执行新固件,完成不复位控制芯片的固件实时更新。

主权项:1.一种不复位控制芯片的固件实时更新方法,该控制芯片具有双存储分区闪存,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤一,控制芯片的第一闪存分区FlashBank1内存储更新前的应用程序代码和分区交换代码,控制芯片的第二闪存分区FlashBank2内存储更新后的应用程序代码和分区交换代码;步骤二,控制芯片上电,默认从第一闪存分区FlashBank1启动,执行控制芯片启动代码,将闪存分区内的读写段拷贝至静态随机存取存储分区,初始化外部设备,进入主循环程序;步骤三,执行Bank交换指令;控制芯片执行第一闪存分区FlashBank1的第二只读闪存分区ROM2区的分区交换代码,并开启内存重映射控制功能;步骤四,中央处理器CPU状态维持不变,控制芯片从第二闪存分区FlashBank2获取并执行下一条指令,引导至第二闪存分区FlashBank2的第一只读闪存分区ROM1,执行更新后的应用程序代码;其中,所述控制芯片具有内存重映射的控制功能,其堆栈、寄存器和PC指针都保持不变;所述控制芯片包括两个独立的闪存分区,两个独立的闪存分区分别为第一闪存分区FlashBank1和第二闪存分区FlashBank2,每个所述闪存分区分别包括一个第一只读闪存分区ROM1和一个第二只读闪存分区ROM2,两个所述第一只读闪存分区ROM1存储有内容可变更的应用程序代码;两个所述第二只读闪存分区ROM2存储有相同的分区交换代码;所述控制芯片还包括一个静态随机存取存储分区,所述静态随机存取存储分区包括第一读写分区SRAM1和第二读写分区SRAM2,所述第一读写分区SRAM1存储有可重新初始化的数据段内容;所述第二读写分区SRAM2存储有不可重新初始化的数据段内容;其中,步骤三中的开启内存重映射控制功能的具体步骤包括:第一闪存分区FlashBank1与第二闪存分区FlashBank2的地址空间发生交换;其中,步骤四中的控制芯片从第二闪存分区FlashBank2获取并执行下一条指令后还包括以下步骤:第二闪存分区FlashBank2的第一只读闪存分区ROM1将第一读写分区SRAM1重新初始化,第二读写分区SRAM2的内容保持不变。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 广东高斯宝电气技术有限公司 不复位控制芯片的固件实时更新方法、系统及存储介质

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