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申请/专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
摘要：本发明公开了集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法。一种集成电路设计方法包含：a接收至少一第一筛选参数；b根据该第一筛选参数从一延迟量数据库读取符合该第一筛选参数的单元cell延迟量信息，该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的运行参数的多个延迟量；以及c根据该单元延迟量信息显示至少一该单元以及相对应的该延迟量的相关信息。
主权项：1.一种集成电路设计数据库产生方法，包含：接收一条件参数，该条件参数包含一工艺参数以及一运行参数区间，该运行参数区间包含至少一运行参数；以及根据该工艺参数以及该运行参数区间来对至少一单元进行测试以产生一延迟量数据库；其中该延迟量数据库包含同一该单元对应同一类但具有不同数值的该运行参数区间的多个延迟量；其中，该运行参数包含以下参数中至少一个：一负载参数、一输入回转率、一运行频率、一温度以及一电压。
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百度查询： 瑞昱半导体股份有限公司 集成电路设计数据库产生方法以及集成电路设计方法
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