龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：南京融芯微电子有限公司
摘要：本实用新型公开了一种超结LDMOS结构，包括：第一导电类型衬底、第二导电类型外延层，第二导电类型外延层的表面设有超结区，超结区包括多层超结层，多层超结层沿竖直方向平行分布在第二导电类型外延层内，超结层由沿纵向一一交替分布的第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区组成；第二导电类型外延层表面在位于超结区的右侧设置有第二导电类型漏极注入区；超结区中最底下至少有一层超结层向左延伸至第一导电类型体区下方，超结区中最底下至少有一层向右延伸至第二导电类型漏极注入区下方。本实用新型通过增加横向超结在漂移区的占比来进一步提升器件的耗尽功能，从而在保证器件耐压的同时，大大提高了漂移区掺杂浓度，实现LDMOS器件更低的导通电阻。
主权项：1.一种超结LDMOS结构，其特征在于，包括：第一导电类型衬底，在所述第一导电类型衬底上方设置有第二导电类型外延层，所述第二导电类型外延层的表面设有超结区，所述超结区包括多层超结层，多层超结层沿竖直方向平行分布在第二导电类型外延层内，所述超结层由沿纵向一一交替分布的第二导电类型掺杂区和第一导电类型掺杂区组成；所述第二导电类型外延层表面设置有预设结深的第一导电类型体区，且所述第一导电类型体区位于超结区的左侧，所述第一导电类型体区表面设置有相切的第一导电类型背栅注入区和第二导电类型源极注入区；所述第二导电类型外延层表面在位于超结区的右侧设置有第二导电类型漏极注入区；所述超结区中最底下至少有一层超结层向左延伸至第一导电类型体区下方，所述超结区中最底下至少有一层向右延伸至第二导电类型漏极注入区下方。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京融芯微电子有限公司 一种超结LDMOS结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号