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申请/专利权人：辽宁领灿高压碳化硅有限公司
摘要：本实用新型涉及核工业及激光器领域，公开了一种碳化硅高压硅堆，包括设置在两端的第一引线和第二引线，及在第一引线和第二引线之间堆叠设置的若干碳化硅芯片，相邻两个碳化硅芯片之间设置有连接片；连接片由金属材料制成，连接片包括片结构和设置在片结构上的凸台，凸台的上表面上设置有若干凸点，凸台上表面面积小于片结构的底面积，片结构的底面积不小于碳化硅芯片的正面的面积；相邻的两个碳化硅芯片中的一个的正面与设置在其之间的连接片的凸台相对设置且凸台的上表面与碳化硅芯片的正面通过焊接连接，连接片背面与另一个碳化硅芯片背面相对设置。本实用新型提供的碳化硅高压硅堆具有良好的耐高温、高电压特性及良好的高频特性且尺寸小。
主权项：1.一种碳化硅高压硅堆，其特征在于，包括设置在两端的第一引线（11）和第二引线（12），以及设置在所述第一引线（11）和第二引线（12）之间的若干碳化硅芯片（2），若干所述碳化硅芯片（2）堆叠设置并且相邻的两个所述碳化硅芯片（2）之间设置有连接片（3）；所述连接片（3）由金属材料制成，所述连接片（3）包括片结构（31）和设置在所述片结构（31）上的凸台（32），所述凸台（32）的上表面上设置有若干凸点（33），所述凸台（32）的上表面的面积小于所述片结构（31）的底面积，所述片结构（31）的底面积不小于所述碳化硅芯片（2）的正面的面积，所述片结构（31）、凸台（32）和若干凸点（33）为一体结构，其中所述凸台（32）的上表面为圆形或多边形；相邻的两个所述碳化硅芯片（2）中的一个的正面与设置在其之间的所述连接片（3）的凸台（32）相对设置并且所述凸台（32）的上表面与所述碳化硅芯片（2）的正面通过焊片焊接连接，该连接片（3）的背面与另一个所述碳化硅芯片（2）的背面通过焊片焊接连接，所述凸点（33）的高度不大于所述焊片的厚度，所述片结构（31）和与其相邻的所述碳化硅芯片（2）的正面之间设置有间隙。
全文数据：
权利要求：
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