申请/专利权人:山东大学
申请日:2024-03-18
公开(公告)日:2024-06-25
公开(公告)号:CN118248741A
主分类号:H01L29/786
分类号:H01L29/786;H01L21/336
优先权:
专利状态码:在审-公开
法律状态:2024.06.25#公开
摘要:本发明涉及一种高性能垂直沟道铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法,属于薄膜晶体管技术领域,包括衬底、源电极、间隔层、漏电极、沟道层、栅介质层和栅电极,其中,衬底上设置有源电极,源电极上生长间隔层,间隔层上生长漏电极,间隔层位于源电极、漏电极之间,漏电极和间隔层侧壁上设置沟道层,沟道层上依次设置栅介质层和栅电极。本发明的源电极、漏电极通过间隔层分开,改善刻蚀工艺获得垂直的漏电极与间隔层边缘,使沉积的沟道垂直于水平面,形成垂直沟道结构,减小了器件尺寸,提高了器件宽长比,可以显著提高晶体管的开关速度和电流驱动能力。
主权项:1.一种高性能垂直沟道铟镓锌氧薄膜晶体管,其特征在于,包括衬底、源电极、间隔层、漏电极、沟道层、栅介质层和栅电极,其中,衬底上设置有源电极,源电极上生长间隔层,间隔层上生长漏电极,间隔层位于源电极、漏电极之间,漏电极和间隔层侧壁上设置沟道层,沟道层上依次设置栅介质层和栅电极。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 山东大学 一种高性能垂直沟道铟镓锌氧薄膜晶体管及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。