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申请/专利权人：成都玖锦科技有限公司
申请日：2024-05-28
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249780A
主分类号：H03H11/28
分类号：H03H11/28;H03F1/56;H03F3/45;H03F3/193;H03F3/21
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明涉及阻抗变换器领域，具体涉及一种输入直流耦合且输入偏置可调的宽带阻抗变换器，具有可调输入偏置并能在宽频带内放大信号。本发明提供一种基于差分结构的、可调输入偏置的宽带阻抗变换器，包含一个输入端口，两个输出端口，一对共源共栅晶体管差分对，一对对称的输入缓冲级，一个尾电流源，两个缓冲级电流源，一个外部栅极电压源，若干电阻和隔直电容，共源共栅晶体管差分对由两个对称的共源共栅晶体管构成。对于一侧的共源共栅晶体管：由两个晶体管堆叠而成，其中一个晶体管的源极与另一个晶体管的漏极相连，组成共源共栅结构。本发明适用于阻抗变换器结构。
主权项：1.一种输入直流耦合且输入偏置可调的宽带阻抗变换器，其特征在于，包括第一晶体管pHEMT1、第二晶体管pHEMT2、第三晶体管pHEMT3、第四晶体管pHEMT4、第五晶体管pHEMT5、第六晶体管pHEMT6、第一电流源I1、第二电流源I2以及第三电流源I3；所述第二晶体管pHEMT2的源级与第三晶体管pHEMT3的漏极连接，第三晶体管pHEMT3的源级分别与第五晶体管pHEMT5的源级以及第二电流源I2连接，第二晶体管pHEMT2的漏极作为第一信号输出端，并与漏极电压源VDD连接，第五晶体管pHEMT5的漏极与第四晶体管pHEMT4的源级连接，第四晶体管pHEMT4的漏极作为第二信号输出端，并与漏极电压源VDD连接；所述第二晶体管pHEMT2的栅极与第一晶体管pHEMT1的漏极连接，第一晶体管pHEMT1的漏极与栅极电压源Vg连接，第一晶体管pHEMT1的源级分别与第三晶体管pHEMT3的栅极以及第一电流源I1连接，第一晶体管pHEMT1的栅极接收输入信号；所述第四晶体管pHEMT4的栅极与第六晶体管pHEMT6的漏极连接，第六晶体管pHEMT6的漏极与栅极电压源Vg连接，第六晶体管pHEMT6的源级分别与第五晶体管pHEMT5的栅极以及第三电流源I3连接，第六晶体管pHEMT6的栅极与栅极电压源Vg连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 成都玖锦科技有限公司 一种输入直流耦合且输入偏置可调的宽带阻抗变换器
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