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申请/专利权人：武汉优炜芯科技有限公司
申请日：2024-03-11
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118249200A
主分类号：H01S5/183
分类号：H01S5/183;B82Y20/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明提供了一种深紫外垂直腔面发射激光器，至少包括第一外延结构，第一外延结构沿生长方向包括依次层叠设置的衬底、AlN模板层以及第一布拉格反射层，第一布拉格反射层包括多层第一堆叠结构，每一层第一堆叠结构包括由下至上层叠设置的第一子层以及第二子层，其中，第一子层具有纳米孔，且第一子层的材料为N型掺杂的AlxGa1‑xN材料，第二子层的材料为非故意掺杂的AlxGa1‑xN材料，x的取值为：0.5≤x≤0.7；本发明实现了将高反射率的AlGaN基深紫外DBR作为深紫外垂直腔面发射激光器的底部反射镜，同时该底部反射镜可作为后续AlGaN材料的量子阱有源层等结构的原位生长模板。
主权项：1.一种深紫外垂直腔面发射激光器，其特征在于，至少包括第一外延结构，所述第一外延结构沿生长方向包括依次层叠设置的衬底、AlN模板层以及第一布拉格反射层，所述第一布拉格反射层包括多层第一堆叠结构，每一层所述第一堆叠结构包括由下至上层叠设置的第一子层以及第二子层；其中，所述第一子层具有纳米孔，且所述第一子层的材料为N型掺杂的AlxGa1-xN材料，所述第二子层的材料为非故意掺杂的AlxGa1-xN材料，x的取值为：0.5≤x≤0.7。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉优炜芯科技有限公司 一种深紫外垂直腔面发射激光器
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