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申请/专利权人：厦门大学
申请日：2024-03-29
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118248795A
主分类号：H01L33/00
分类号：H01L33/00;H01L33/62;H01L33/48;H01L21/68;H01L21/67
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本发明公开了一种磁场辅助式Micro‑LED自组装巨量转移方法，采用的目标基板表面具有凹槽，凹槽内依次设有金属电极和低熔点合金，Micro‑LED芯片背面设有疏水性低黏附层；将基板置于组装容器底部，向组装容器中加入组装液，调控组装液的温度和pH值，将Micro‑LED芯片倒入组装液中并均匀分散，通过施加磁场使Micro‑LED芯片沉降并一一对应的落入凹槽中，再采用热回流焊工艺在加压条件下对芯片进行位置校正。本发明保证了芯片之间的位置精度和对齐度，最大限度地避免芯片的损坏和失效，从而确保高精度、高速度和高效率的芯片转移，实现高一致性和高质量的色彩表现。
主权项：1.一种磁场辅助式Micro-LED自组装巨量转移方法，其特征在于，包括：1将基板置于组装容器底部，基板表面具有若干凹槽，各凹槽内依次设有金属电极和低熔点合金；2向组装容器中加入组装液，控制组装液的温度高于低熔点合金熔融温度；所述组装液为4＜pH＜6的溶液；3提供若干Micro-LED芯片，所述Micro-LED芯片背面设有疏水性低黏附层；将Micro-LED芯片倒入组装液中并均匀分散，Micro-LED芯片在组装液作用下表面带有正电荷；向组装容器内施加磁场，使磁场方向垂直于基板表面，通过磁场作用使Micro-LED芯片沉降并一一对应的落入凹槽中，其中Micro-LED芯片的正面朝下与低熔点合金接触；4将附着有Micro-LED芯片的基板取出并置于加压装置中，在高于低熔点合金熔融温度的温度条件下进行热回流焊，同时下压芯片进行位置校正。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种磁场辅助式Micro-LED自组装巨量转移方法
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