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申请/专利权人：深圳市普瑞集成科技有限公司
申请日：2024-05-20
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118239444A
主分类号：B81B7/02
分类号：B81B7/02;B81B7/00;B81C99/00;B81C1/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：本申请公开了一种薄膜释放监测结构及制作方法，涉及MEMS工艺的技术领域，包括基板、下电极板、牺牲层和上电极板；下电极板设置于基板顶面，下电极板设有刻度标识；牺牲层形成于下电极板的表面且覆盖刻度标识，牺牲层开设有环槽，环槽显露下电极板，且刻度标识位于环槽内侧；上电极板形成于牺牲层的表面且上电极板的周缘填充及密封环槽并与环槽内的下电极板相连；上电极板上开设有位于环槽内侧且与刻度标识有预设距离的刻蚀孔，刻蚀孔用于填充药剂以刻蚀牺牲层，刻度标识用于根据与刻蚀孔的相对位置判断牺牲层的刻蚀结果。本申请能够及时了解MEMS产品牺牲层的刻蚀进度，进而减少产品出现结构释放不完全或者释放过度的情况。
主权项：1.一种薄膜释放监测结构，其特征在于，包括：基板（1）；下电极板（2），所述下电极板（2）设置于所述基板（1）顶面，所述下电极板（2）设有刻度标识（21）；牺牲层（3），形成于所述下电极板（2）的表面且覆盖所述刻度标识（21），所述牺牲层（3）开设有环槽（31），所述环槽（31）显露所述下电极板（2），且所述刻度标识（21）位于所述环槽（31）内侧；以及上电极板（4），形成于所述牺牲层（3）的表面且所述上电极板（4）的周缘填充及密封所述环槽（31）并与所述环槽（31）内的所述下电极板（2）相连；所述上电极板（4）上开设有位于所述环槽（31）内侧且与所述刻度标识（21）有预设距离的刻蚀孔（41），所述刻蚀孔（41）用于填充药剂以刻蚀所述牺牲层（3），所述刻度标识（21）用于与通过所述刻蚀孔（41）而刻蚀的所述牺牲层（3）的相对位置判断刻蚀结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳市普瑞集成科技有限公司 一种薄膜释放监测结构及制作方法
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