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申请/专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体公开一种N型低阻β‑Ga2O3单晶的原位退火方法。本发明通过在上保温结构内设定特定板状区域作为退火区域，且通过控制退火气氛和特定的降温程序，使施主原子有效激活，还提高了β‑Ga2O3单晶的电阻率均匀度，使电阻率均匀度由原来的8.1%降至4.8%，同时，由于特定板状区域可使β‑Ga2O3单晶整体区域的温度更均匀，降低了晶体内应力，降低了加工开裂风险。通过本发明提供的原位退火方法，不但有效减少了β‑Ga2O3单晶的生产工序，提高了生产效率，降低了低阻氧化镓的生产成本和能耗，还有改善了制备的低阻氧化镓的电学性能，可以实现高成品率、低应力和高电学性能的氧化镓单晶生长。
主权项：1.一种N型低阻β-Ga2O3单晶的原位退火方法，其特征在于：包括以下步骤：S1、进行低阻β-Ga2O3单晶的生长；S2、将生长完成的β-Ga2O3单晶提拉至模具之上，进行降温，降至第一预设温度并保温第一预设时间后，将单晶向上提拉至上保温结构内，降温至第二预设温度并保温第二预设时间；其中，所述上保温结构为内部设有贯通式方形空腔的氧化锆圆柱体，所述方形空腔的中心轴与圆柱体的中心轴重合；所述方形空腔的厚度为13mm~16mm，长度为120mm~150mm，高度为150mm~160mm；S3、将生长炉内的气氛等压置换为氮气，于第二预设温度继续保温第三预设时间，然后以100℃h~200℃h的速率降至单晶中心温度为800℃~850℃，保温1h~2h，再以200℃h~300℃h的速率降至单晶中心温度为500℃~550℃，保温1h~2h，最后以200℃h~300℃h降至室温，取出晶体，完成退火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种N型低阻β-Ga2O3单晶的原位退火方法
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