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申请/专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日：2024-04-26
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN118239783A
主分类号：C04B35/571
分类号：C04B35/571;C04B35/573;C04B35/577;C04B35/58;C04B35/624;C04B38/00
优先权：
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.25#公开
摘要：一种低密度二硼化锆‑碳化硅泡沫陶瓷材料的制备方法，本发明属于泡沫陶瓷制备技术领域。本发明要解决二硼化锆‑碳化硅泡沫陶瓷面临着成型困难和烧结收缩的问题，本发明制备方法简单，通过真空条件下，将含陶瓷浸渍溶液浸渍制备的碳化硅模板，并通过后续的干燥和烧结步骤，最终得到了低密度二硼化锆‑碳化硅泡沫陶瓷。本发明制备低密度二硼化锆‑碳化硅泡沫陶瓷材料具均匀的结构、纳米级别晶粒和优良的力学性能特点，在高温隔热领域有良好的应用前景。
主权项：1.一种低密度二硼化锆-碳化硅泡沫陶瓷材料的制备方法，其特征在于该方法包含以下步骤：步骤一、在室温条件下，向乙醇中加入线性酚醛树脂、六亚甲基四胺和正硅酸乙酯，经过磁力搅拌充分溶解；在水浴条件形成凝胶，常温下进行干燥，直至质量不发生变化为止，得到干凝胶；将干凝胶进行碳化，后取出，得到多孔碳化硅模板材料；步骤二、在乙二醇和H2O组成的溶剂中，溶解ZrOCl2·8H2O、H3BO3和蔗糖，得到浸渍溶液；其中，ZrOCl2·8H2O、H3BO3和蔗糖的摩尔比1:3～5:4～6；浸渍溶液老化后，将步骤一得到的多孔碳化硅模板材料放入浸渍液中，抽真空后，泄压取出，浸渍，充分干燥直到质量不再发生变化；步骤三、将步骤二干燥后的样品放置于管式炉中进行烧结，随炉冷却至室温，得到二硼化锆-碳化硅泡沫陶瓷材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种低密度二硼化锆-碳化硅泡沫陶瓷材料的制备方法
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