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电平转换电路及脑机接口模拟前端装置 

申请/专利权人:上海大学

申请日:2024-04-12

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN118249802A

主分类号:H03K19/0175

分类号:H03K19/0175;G06F3/01

优先权:

专利状态码:在审-公开

法律状态:2024.06.25#公开

摘要:本发明涉及一种电平转换电路及脑机接口模拟前端装置,电平转换电路包括用于输入低压脉冲信号的输入端、低压反向部分、反相器和输出端;低压反向部分包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管,第一MOS管为低阈值NMOS管,第二MOS管为正常阈值PMOS管,第三MOS管为正常阈值NMOS管;所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连通后接至输入端,第三MOS管的栅极和漏极接入电源,第三MOS管的源极接至第二MOS管的源极,第一MOS管的漏极接地,第二MOS管的漏极和第三MOS管的漏极接通后引出作为低压反向部分的输出;反相器将低压反向部分的输出转换回与输入低压脉冲信号相同频率但幅值不同的脉冲信号给输出端。与现有技术相比,本发明适用于更低电压,转换准确度更高且功耗更低。

主权项:1.一种电平转换电路,其特征在于,包括用于输入低压脉冲信号的输入端、低压反向部分、反相器和输出端;所述低压反向部分包括第一MOS管、第二MOS管和第三MOS管,所述第一MOS管为低阈值NMOS管,第二MOS管为正常阈值PMOS管,第三MOS管为正常阈值NMOS管;所述第一MOS管的栅极和第二MOS管的栅极连通后接至输入端,所述第三MOS管的栅极和漏极接入电源,所述第三MOS管的源极接至第二MOS管的源极,所述第一MOS管的漏极接地,所述第二MOS管的漏极和第三MOS管的漏极接通后引出作为低压反向部分的输出;所述反相器将低压反向部分的输出转换回与输入低压脉冲信号相同频率但幅值不同的脉冲信号给输出端。

全文数据:

权利要求:

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