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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种偏振无关的光开关，涉及半导体领域，光开关为左右对称结构，包括：下包层、铌酸锂波导层、上包层和氮化硅层，铌酸锂波导层集成在下包层上方，氮化硅层在铌酸锂波导层上方，铌酸锂波导层与氮化硅层中间填充上包层；沿着光传播方向依次在氮化硅层刻蚀均匀分光多模干涉耦合器和上下层间耦合结构的上半部分；在铌酸锂波导层刻蚀上下层间耦合结构的下半部分和偏振无关调制波导；在铌酸锂波导层的偏振无关调制波导两侧制作金属电极，根据铌酸锂波导层的调制特征调整金属电极的位置。该光开关利用氮化硅材料，实现了基本无源器件的偏振无关，同时利用铌酸锂材料的电光特性，实现了低损耗高速的调制特性。
主权项：1.一种偏振无关的光开关，其特征在于，光开关为左右对称结构，包括：下包层、铌酸锂波导层、上包层和氮化硅层，所述铌酸锂波导层集成在所述下包层上方，所述氮化硅层在所述铌酸锂波导层上方，所述铌酸锂波导层与所述氮化硅层中间填充所述上包层；沿着光传播方向依次在所述氮化硅层刻蚀均匀分光多模干涉耦合器和上下层间耦合结构的上半部分，所述上半部分与所述均匀分光多模干涉耦合器的输出连接；在所述铌酸锂波导层刻蚀所述上下层间耦合结构的下半部分和偏振无关调制波导，所述下半部分与所述偏振无关调制波导连接；以及在所述铌酸锂波导层的所述偏振无关调制波导两侧制作金属电极，根据所述铌酸锂波导层的调制特征调整所述金属电极的位置。
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