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申请/专利权人：格芯(美国)集成电路科技有限公司
申请日：2021-02-02
公开（公告）日：2024-06-25
公开（公告）号：CN113345951B
主分类号：H01L29/06
分类号：H01L29/06;H01L21/265;H01L21/324;H01L21/762
优先权：["20200302 US 16/806,383"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.25#授权;2021.09.21#实质审查的生效;2021.09.03#公开
摘要：本发明涉及用于电性隔离的埋置损伤层，揭示包括电性隔离的结构以及形成包括电性隔离的结构的方法。第一多晶层位于衬底中，且第二多晶层位于该第一多晶层与该衬底的顶部表面之间。该衬底包括位于该第二多晶层与该衬底的该顶部表面之间的单晶半导体材料的第一部分。该衬底包括位于该第一多晶层与该第二多晶层之间的该单晶半导体材料的第二部分。该第一多晶层具有一厚度。该第二多晶层具有厚度大于该第一多晶层的该厚度的部分。
主权项：1.一种包括电性隔离的结构，该结构包括：衬底，由单晶半导体材料组成，该衬底具有顶部表面；浅沟槽隔离区，从该顶部表面延伸至该衬底中；第一多晶层，位于该衬底中；以及第二多晶层，位于该第一多晶层与该衬底的该顶部表面之间，其中，该衬底包括位于该第二多晶层与该衬底的该顶部表面之间的该单晶半导体材料的第一部分，该衬底包括位于该第一多晶层与该第二多晶层之间的该单晶半导体材料的第二部分，该第一多晶层具有一厚度，且该第二多晶层具有第一部分，该第二多晶层的该第一部分具有大于该第一多晶层的该厚度的第一厚度，其中，该第二多晶层包括与该浅沟槽隔离区直接接触的第二部分，且该第二多晶层包括横向位于该第二多晶层的该第一部分与该第二部分之间并与该浅沟槽隔离区相邻的第三部分，且该第二多晶层的该第三部分与该单晶半导体材料的该第一部分具有弯曲的界面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 格芯(美国)集成电路科技有限公司 用于电性隔离的埋置损伤层
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