申请/专利权人：杭州纤纳光电科技有限公司

申请日：2019-07-12

公开（公告）日：2024-06-25

公开（公告）号：CN112216796B

主分类号：H10K30/40

分类号：H10K30/40;H10K30/50;H10K85/50;H10K71/15;H10K71/16;H10K99/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.06.25#授权;2022.03.04#实质审查的生效;2021.01.12#公开

摘要：本发明涉及一种掺杂的钙钛矿层其含有结构通式为AnB1‑nCXmY3‑m的化合物，其中，0n≤1，0m3，A为正一价非金属离子或基团，包括胺类、胺基衍生物、脒类、脒基衍生物中至少一种，B为正一价金属阳离子，包括钾、铯、铷中任意一种，C为正二价金属阳离子，包括铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋、钋中至少一种，X为负一价阴离子或基团，包括氯、溴、碘、硫氰根、醋酸根、氰根、氧氰根中至少一种，Y为碘离子。本发明还公开含有该掺杂的钙钛矿层的钙钛矿电池及其制备方法。本发明实现对钙钛矿材料结晶过程中卤素来源的调控，提供一种制备结晶度高、稳定性好的掺杂的钙钛矿层方法。

主权项：1.一种掺杂的钙钛矿层的制备方法，其特征在于，所述掺杂的钙钛矿层的制备材料含有结构通式为AnB1-nCXmY3-m的化合物，其中，0n≤1，0m3，A为包括胺类、胺基衍生物、脒类、脒基衍生物中至少一种的正一价非金属离子或基团，B为包括钾、铯、铷中任意一种，C为正二价金属阳离子，包括铅、锡、钨、铜、锌、镓、锗、砷、硒、铑、钯、银、镉、铟、锑、锇、铱、铂、金、汞、铊、铋、钋中至少一种的正一价金属阳离子，X为包括氯、溴、碘、硫氰根、醋酸根、氰根、氧氰根中至少一种的负一价阴离子或基团，Y为碘离子，所述掺杂的钙钛矿层由前驱体有机卤化物AY、一价无机金属卤化物BY、二价无机金属化合物CX2和CY2相互化合制成，其中以CX2作为X-的供体，在所述掺杂的钙钛矿层中，前驱体有机卤化物AY加入量是二价无机金属卤化物CX2和CY2总摩尔量的0~100%，一价无机金属卤化物BY加入量是二价无机金属化合物CX2和CY2总摩尔量的0~100%，二价无机金属化合物CX2加入量是二价无机金属化合物CY2摩尔量的0~100%，二价无机金属化合物CX2和CY2的总浓度为0.5molL~2molL；所述制备方法为溶液法，包括如下步骤：步骤（1）、制备前驱混合液，将前驱体有机卤化物AY、一价无机金属卤化物BY、二价无机金属化合物CX2和CY2、溶剂相互搅拌混合；所述溶剂包括主溶剂和辅助溶剂，所述主溶剂包括DMF、DMSO中的至少一种，所述辅助溶剂包括NMP、DMI、表面活性剂中的至少一种；步骤（2）、通过旋涂、刮涂、狭缝式连续涂布、喷涂中任意一种加工方式在沉积有传输层的基片上涂覆步骤（1）制备的前驱混合液，对涂覆得到的含前驱混合液的薄膜进行退火处理，在基片的传输层上制备掺杂负一价阴离子或基团X的钙钛矿层。

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