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多尔蒂功率放大器及射频前端模组 

申请/专利权人:锐磐微电子科技(上海)有限公司

申请日:2023-11-03

公开(公告)日:2024-06-25

公开(公告)号:CN117375535B

主分类号:H03F1/02

分类号:H03F1/02;H03F1/56;H03F1/32;H03F3/21

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.06.25#授权;2024.01.26#实质审查的生效;2024.01.09#公开

摘要:本申请公开了一种多尔蒂功率放大器及射频前端模组,该多尔蒂功率放大器中的芯片采用倒扣工艺设置于基板,芯片包括第一信号端、第二信号端、载波放大模块和峰值放大模块,载波放大模块的输入端连接于第一信号端,峰值放大模块的输入端连接于第二信号端;载波放大模块的输出端和峰值放大模块的输出端相连接以形成公共连接端。输出匹配模块连接在公共连接端和基板上的信号输出端之间,其包括相连接的电容和走线,输出匹配模块的电容中的至少一个设置在芯片内,输出匹配模块的走线绕设于基板。由于输出匹配模块所包括的电子元件具有较高的Q值,可以减少输出匹配模块对信号的传输损耗,保证了多尔蒂功率放大器的信号传输效率。

主权项:1.一种多尔蒂功率放大器,其特征在于,包括:基板,设有信号输出端;芯片,采用倒扣工艺设置于所述基板,所述芯片包括第一信号端、第二信号端、载波放大模块和峰值放大模块;所述载波放大模块的输入端连接于所述第一信号端,所述峰值放大模块的输入端连接于所述第二信号端;所述载波放大模块的输出端和所述峰值放大模块的输出端相连接以形成公共连接端;输出匹配模块,连接在所述公共连接端和所述信号输出端之间,所述输出匹配模块包括相连接的电容和走线,所述输出匹配模块的电容的数量为至少一个,所述输出匹配模块的电容中的至少一个设置在所述芯片内,所述输出匹配模块的走线绕设于所述基板;阻抗转换模块,连接在所述载波放大模块的输出端和所述公共连接端之间;所述阻抗转换模块包括相连接的电容和走线,所述阻抗转换模块的电容设置在所述芯片内,所述阻抗转换模块的走线设置于所述基板;以及相位补偿模块,设置在所述芯片内,且连接在所述第二信号端和所述峰值放大模块的输入端之间;所述相位补偿模块用于补偿所述阻抗转换模块带来的相移。

全文数据:

权利要求:

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