申请/专利权人：浙江大学

申请日：2024-02-22

公开（公告）日：2024-06-28

公开（公告）号：CN118265399A

主分类号：H10K71/00

分类号：H10K71/00;H10K50/10;H10K85/50;H10K59/12

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.06.28#公开

摘要：本发明公开了微型、纳米钙钛矿发光二极管和晶体管驱动的微型、纳米钙钛矿发光二极管及其制备方法，本发明利用低成本、简易制备的钙钛矿材料制备微型和纳米钙钛矿发光二极管，得到的百微米到数微米及以下尺寸的微型钙钛矿发光二极管表现出非常弱的尺寸效应，具体表现为微型钙钛矿发光二极管随尺寸减小其效率降低不显著，能够保持和常规毫米尺寸器件相似的高外量子效率。此外，本发明实现了目前最小像素尺寸的纳米钙钛矿发光二极管，像素边长或直径可达到100纳米及以下。基于本发明实现的纳米钙钛矿发光二极管阵列每英寸像素点密度可以达到127000PPI以上。本发明的微型及纳米钙钛矿发光二极管也可以结合被动和主动驱动技术方案。

主权项：1.微型钙钛矿发光二极管的制备方法，其特征在于：该方法具体包括以下步骤：S1：制备衬底；S2：形成图案化的第一电极并刻蚀；S3：采用物理或化学或物理化学相结合的方法，沉积一层绝缘介质层；S4：在绝缘介质层上制备一层正光刻胶层；S5：利用带有精度达到微米的光刻掩膜版对于正光刻胶进行局部区域遮挡，采用紫外光对于未遮挡部分正光刻胶进行曝光；S6：采用化学方法对于衬底上的正光刻胶显影，得到和光刻掩膜版图案相同的微型沟槽区域；S7：采用反应离子刻蚀或者离子刻蚀方法对于绝缘介质层进行刻蚀，在绝缘介质层图样刻蚀得到和正光刻胶图样相同的微型沟槽；S8：采用等离子体或臭氧或化学试剂去除残留的正光刻胶图样；S9：在得到的带有微型沟槽结构的衬底上制备一层钝化层，钝化层制备方法为磁控溅射、热蒸发、原子力沉积、化学沉积中的一种或多种；S10：在带有钝化层的衬底上，制备第一电荷传输层，第一电荷传输层覆盖衬底绝缘介质层及微型沟槽区域；S11：在第一电荷传输层上制备一层钙钛矿发光层，钙钛矿发光层通过热蒸发、溶液法、刮涂法、喷涂法、原位反应法制备，钙钛矿发光层覆盖带有电荷传输层的衬底绝缘介质层及微型沟槽区域；S12：在覆盖有钙钛矿发光层的衬底上制备第二电荷传输层，第二电荷传输层通过热蒸发、溶液法、刮涂法、喷涂法、原位反应法制备，第二电荷传输层全覆盖钙钛矿发光层；S13：在覆盖有第二电荷传输层上制备第二电极，电极的图样需要全面覆盖电荷传输层；通过上述步骤制备的第二电极和第一电极之间为断路，保证第一电极和第一电荷传输层形成欧姆接触，第二电极和第二电荷传输层形成欧姆接触，电荷只通过制备出的微型图案结构传输，最终电荷在微型图案区域内形成辐射复合发光的微型尺寸钙钛矿发光二极管。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 浙江大学 微型、纳米钙钛矿发光二极管和晶体管驱动的微型、纳米钙钛矿发光二极管及其制备方法

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