龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：电子科技大学
摘要：本发明提供了一种调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法及其应用，属于钙钛矿太阳能电池技术领域，通过三源共蒸大阳离子R‑NH3I、PbI2和FAI，在基底上蒸镀R‑NH32FAn‑1PbnI3n+1钙钛矿薄膜，n1，置于空气中退火20min，通过改变退火温度，调控R‑NH32FAn‑1PbnI3n+1钙钛矿薄膜的维度；其中，R‑NH3I为PMAI、PEAI或BAI。本发明的后退火处理步骤，有助于提升钙钛矿薄膜的质量，并为形成不同维度结构提供所需能量，仅通过调控后退火温度，实现钙钛矿薄膜的维度调控；无需对气相共蒸过程中的蒸发速率、腔体气压等工艺参数进行精细调控，操作简单，可重复性高。
主权项：1.一种调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法，其特征在于，通过三源共蒸大阳离子R-NH3I、PbI2和FAI，在基底上蒸镀R-NH32FAn-1PbnI3n+1钙钛矿薄膜，n1，之后置于空气中退火20min，通过改变退火温度，调控R-NH32FAn-1PbnI3n+1钙钛矿薄膜的维度；其中，所述R-NH3I具体为PMAI、PEAI或BAI。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 电子科技大学 一种调控三源共蒸钙钛矿薄膜维度的方法及其应用
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号