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申请/专利权人：盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司
申请日：2023-11-23
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118263083A
主分类号：H01J37/32
分类号：H01J37/32;H01L21/67;H05F3/04;C23C16/505
优先权：["20221228 KR 10-2022-0187481"]
专利状态码：在审-公开
法律状态：2024.06.28#公开
摘要：本发明涉及一种晶片沉积设备及利用此的晶片除电方法，包括：远程等离子体装置，通过管路连接于工艺腔室的花洒头，并且在所述工艺腔室的外部生成低于沉积用等离子体的强度的等离子体，将生成的等离子体气体供应于所述工艺腔室内部；惰性气体供应源，通过管路连接于所述远程等离子体装置，将惰性气体供应于所述远程等离子体装置；及控制部，控制所述远程等离子体装置的运行。因此，对于晶片进行无损伤地安全除电，并且可防止在除电时产生颗粒。
主权项：1.一种晶片沉积设备，包括：工艺腔室，针对于晶片实施薄膜沉积；真空泵，设置在连接于所述工艺腔室的排气线路，以在所述工艺腔室形成真空压；气体供应源，通过气体供应管路连接于所述工艺腔室的花洒头；RF电源施加部，连接于所述工艺腔室的所述花洒头来施加RF电源，进而生成沉积用等离子体；远程等离子体装置，通过管路连接于所述工艺腔室的所述花洒头，并且在所述工艺腔室的外部生成低于所述沉积用等离子体的强度的等离子体，将生成的等离子体气体供应于所述工艺腔室内部；惰性气体供应源，通过管路连接于所述远程等离子体装置，将惰性气体供应于所述远程等离子体装置；及控制部，控制所述真空泵、所述RF电源施加部及所述远程等离子体装置的运行。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 盛吉盛(韩国)半导体科技有限公司 晶片沉积设备及利用此的晶片除电方法
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