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申请/专利权人：武汉高芯科技有限公司
摘要：本发明涉及一种微流制冷通道的制作方法，包括：在待制冷基材上形成牺牲层；根据微流制冷通道的设计形状，图形化牺牲层；在牺牲层上沉积盖面层；释放牺牲层，盖面层立于待制冷基材上并与待制冷基材围设形成微流制冷通道。另外还涉及基于该方法集成有微流制冷通道的芯片。本发明采用MEMS微加工工艺将微流制冷通道集成在待制冷基材上，工艺简单、易于实现，适于与传统的半导体工艺兼容，芯片与通道材料之间不会产生内应力、粘附力等以及不会对芯片造成电学等影响，保持芯片的正常功能和性能。制作的微流制冷通道更贴近发热源，能实现针对性地制冷设计，制冷效果可靠、能耗低，所需的空间较小，能较好地满足芯片制冷要求。
主权项：1.一种微流制冷通道的制作方法，其特征在于，包括：S0，预先在待制冷基材上加工形成微流制冷槽道；S1，在待制冷基材上形成牺牲层，其中，牺牲材料一并填充所述微流制冷槽道；S2，根据微流制冷通道的设计形状，图形化所述牺牲层；图形化后的牺牲层包括凸起结构和沉槽结构；S3，在所述牺牲层上沉积盖面层；S4，释放所述牺牲层，所述盖面层立于所述待制冷基材上并与所述待制冷基材围设形成微流制冷通道；其中，所述微流制冷槽道与所述微流制冷通道错位设置，并且所述微流制冷槽道与所述微流制冷通道首尾连接；S4中，凸起结构处被支撑的盖面材料与待制冷基材围合形成微流制冷通道，所述微流制冷槽道内的牺牲材料一并得到释放，并且微流制冷槽道通过沉积在沉槽结构中的盖面材料闭合。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉高芯科技有限公司 微流制冷通道的制作方法以及芯片
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