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申请/专利权人：北京大学
申请日：2024-05-08
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN118159108B
主分类号：H10K71/15
分类号：H10K71/15;H10K71/40;H10K71/50
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2024.06.25#实质审查的生效;2024.06.07#公开
摘要：本发明提供了一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用，属于半导体器件技术领域。本发明提供的制备方法通过在旋涂钙钛矿量子点分散液时其溶剂采用正己烷、正辛烷、甲苯和氯苯中的一种或多种，能够降低对上一层钙钛矿薄膜Ⅰ或钙钛矿薄膜Ⅱ的溶解度，避免在制备单异质结的过程中导致上一层钙钛矿薄膜被破坏，从而保证成功制备得到双异质结结构的钙钛矿；并且，本发明还通过分别制备单异质结和单层钙钛矿薄膜再使其结合的方式，或者同时制备两个单异质结再将二者结合的方式，能够进一步降低对上一层钙钛矿薄膜的破坏，保证各膜层更为平整均匀，从而使各膜层紧密贴合，不会产生空气层。
主权项：1.一种双异质结钙钛矿的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：（1）将钙钛矿前驱体溶液A与衬底a结合，退火后得到单层钙钛矿薄膜Ⅰ；（2）将钙钛矿前驱体溶液B与衬底b结合，退火后得到单层钙钛矿薄膜Ⅱ；（3）将钙钛矿量子点分散液旋涂在所述步骤（1）得到的单层钙钛矿薄膜Ⅰ的表面，干燥后得到单异质结①；和或，将钙钛矿量子点分散液旋涂在所述步骤（2）得到的单层钙钛矿薄膜Ⅱ的表面，干燥后得到单异质结②；所述钙钛矿量子点分散液中的钙钛矿量子点的带隙同时小于单层钙钛矿薄膜Ⅰ的带隙和单层钙钛矿薄膜Ⅱ的带隙；所述钙钛矿量子点分散液的溶剂为正己烷、正辛烷、甲苯和氯苯中的一种或多种；（4）将所述步骤（3）得到的单异质结①与所述步骤（2）得到的单层钙钛矿薄膜Ⅱ结合，得到双异质结钙钛矿；或者，将所述步骤（3）得到的单异质结②与所述步骤（1）得到的单层钙钛矿薄膜Ⅰ结合，得到双异质结钙钛矿；或者，将所述步骤（3）得到的单异质结①和所述步骤（3）得到的单异质结②结合，得到双异质结钙钛矿；所述步骤（1）和步骤（2）不分先后顺序。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种双异质结钙钛矿及其制备方法和应用
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