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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司;西默有限公司
申请日：2019-10-11
公开（公告）日：2024-06-28
公开（公告）号：CN112889004B
主分类号：G03F7/20
分类号：G03F7/20
优先权：["20181019 US 62/747,951"]
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.06.28#授权;2021.06.18#实质审查的生效;2021.06.01#公开
摘要：公开了用于增加光刻系统的焦深的系统、方法和计算机程序。在一个方面，一种方法包括提供光谱、掩模图案和光瞳设计，光谱、掩模图案和光瞳设计一起被配置成为光刻系统提供焦深。该方法还包括迭代地改变光谱和掩模图案中的辅助特征以提供增加焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案。该方法还包括基于增加焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案来配置光刻系统的部件。
主权项：1.一种用于增加光刻系统的焦深的方法，所述方法包括：提供光谱、掩模图案和光瞳设计，所述光谱、所述掩模图案和所述光瞳设计一起被配置成为所述光刻系统提供焦深；迭代地改变所述光谱和所述掩模图案中的辅助特征，以提供增加所述焦深的经修改的光谱和经修改的掩模图案；以及基于增加所述焦深的所述经修改的光谱和所述经修改的掩模图案来配置所述光刻系统的部件。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司;西默有限公司 通过源和掩模优化创建理想源光谱的方法
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