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申请/专利权人:深圳瑞沃微半导体科技有限公司
摘要:本申请提供了一种芯片光刻制程的工艺方法,相对于现有技术中的光刻制程需使用菲林作为掩膜,存在对位误差或菲林偏移等问题,本申请提供了从芯片背面曝光的解决方案,具体为:在所述电极的表面涂覆感光材料,并从所述电极的背部进行曝光和显影;将所述电极表面的所述感光材料去除;通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度。通过透明半导体材料在光刻制程工艺中,利用金属电极或线路的自身遮光性,从芯片背面进行曝光,实现了免菲林、自对准的精确光刻制程工艺方法,利用芯片电极自身作为掩膜,不存在对位偏差,曝光精确度高,并且免用菲林,减少了工艺环节,降低了制作成本。
主权项:1.一种芯片光刻制程的工艺方法,用于对透明半导体材料的芯片进行光刻处理,所述芯片的一侧设有电极,其特征在于,包括步骤:在所述电极的表面涂覆感光材料,并从所述电极的背部进行曝光和显影;将所述电极表面的所述感光材料去除;通过增材制造方式使所述电极沿竖直方向生长至预设高度。
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权利要求:
百度查询: 深圳瑞沃微半导体科技有限公司 一种芯片光刻制程的工艺方法
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