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申请/专利权人：联芯集成电路制造(厦门)有限公司
申请日：2023-01-04
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299406A
主分类号：H01L29/423
分类号：H01L29/423;H01L29/49;H01L29/40
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明公开一种半导体元件及其制作方法，包括基底、栅极结构以及介电层。栅极结构设置在基底上并包括倒梯型形状。介电层设置在基底上，且栅极结构设置在介电层内。其中，栅极结构包括金属栅极结构或多晶硅栅极结构。
主权项：1.一种半导体元件，其特征在于，包括：基底；金属栅极结构，设置在该基底上，该金属栅极结构包括倒梯形形状；以及介电层，设置在该基底上，其中该金属栅极结构设置在该介电层内。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 联芯集成电路制造(厦门)有限公司 半导体元件及其制作方法
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