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申请/专利权人：华进半导体封装先导技术研发中心有限公司
申请日：2024-03-28
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118299258A
主分类号：H01L21/306
分类号：H01L21/306;H01L21/308
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明涉及半导体技术领域，具体提供一种半导体结构的制备方法，包括：提供半导体衬底层；在部分厚度的所述半导体衬底层中形成若干第一开口；在半导体衬底层具有第一开口的一侧表面形成氧化层，同时部分氧化层填充所述若干第一开口以形成隔离结构；在相邻的所述隔离结构之间形成微流道。本发明提供的半导体结构的制备方法能够避免形成槽宽不可控、不均一的问题，提高微流道制程中的湿法扩槽工艺的稳定性；除此之外，隔离结构的形成工艺简单，易于实现。
主权项：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底层；在部分厚度的所述半导体衬底层中形成若干第一开口；在所述半导体衬底层具有第一开口的一侧表面形成氧化层，同时部分氧化层填充所述若干第一开口以形成隔离结构；在相邻的所述隔离结构之间形成微流道。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 一种半导体结构的制备方法
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