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申请/专利权人:南京第三代半导体技术创新中心有限公司;中国电子科技集团公司第五十五研究所;南京第三代半导体技术创新中心
摘要:本发明公开了一种具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件及其制造方法。该碳化硅MOSFET器件包括栅极沟槽、源极上沟槽、源极下沟槽,第一导电类型衬底、外延层、源区,第二导电类型阱区。于栅极沟槽中形成栅极导电材料,于源极上沟槽和源极下沟槽中形成电场控制材料,关断状态下,电场调制结构可以有效调制第一导电类型外延层中的电场分布,既可保护栅介质,又可明显增大器件耐压,并减小器件的导通电阻。本发明同时公开了所述器件结构的制造方法。
主权项:1.具备电场调制结构的双沟槽碳化硅MOSFET器件,其特征在于,包括,漏极电极;位于漏极电极之上的第一导电类型衬底,位于所述第一导电类型衬底上的第一导电类型外延层;位于所述第一导电类型外延层之中的源极下沟槽;位于所述源极下沟槽之上,与源极下沟槽相连通的源极上沟槽;源极上沟槽的宽度小于源极下沟槽的宽度,二者之差范围为0.2µm~2µm;位于所述第一导电类型外延层之中、相邻源极上沟槽之间的栅极沟槽;位于源极下沟槽的侧壁及底部、所述源极上沟槽侧壁的源介质层,位于所述源极下沟槽、所述源极上沟槽之中且被源介质层包裹的电场控制材料;位于所述栅极沟槽的侧壁及底部的栅介质层,位于所述栅极沟槽之中且被栅介质层包裹的栅极导电材料;位于所述栅极沟槽和源极上沟槽之间的第二导电类型阱区;位于所述第二导电类型阱区之中的第一导电类型源区;位于所述第一导电类型外延层之上,完全覆盖栅极导电材料的隔离介质层;位于所述第一导电类型外延层之上、所述隔离介质层的两侧及之上的源极金属。
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