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申请/专利权人：湍泰半导体香港有限公司
摘要：一种带隙参考电压生成电路包含带隙单元、尾电阻器电路、高阶曲率补偿电流生成电路、IZTAT电流灌入电路和启动电路。带隙单元具有基极电流再分布电路，基极电流再分布电路使用从单元的第一电流支路获取的第一基极再供电电流来驱动双极晶体管的基极，并且使用从单元的第二电流支路获取的匹配的第二基极再供电电流。由于双极电流增益变化而导致的VBG误差减小。曲率补偿电流生成电路的N沟道晶体管在近阈值区域中操作。补偿电路的输出电流按照输入电流的大约2.1的幂变化。尾电阻器电路可以以各种方式编程以使得曲率校正的量可以被定制和修调。
主权项：1.一种电压参考电路，所述电压参考电路包括：由第一P沟道晶体管和第二P沟道晶体管形成的电流镜，其中所述第一P沟道晶体管的栅极被耦合到所述第二P沟道晶体管的栅极；第一双极晶体管，所述第一双极晶体管具有基极、发射极和集电极；第二双极晶体管，所述第二双极晶体管具有基极、发射极和集电极，其中所述第二双极晶体管的所述基极在基极节点处被耦合到所述第一双极晶体管的所述基极；第一电流支路，所述第一电流支路从所述电流镜的所述第一P沟道晶体管的漏极延伸到所述第一双极晶体管的所述集电极；第二电流支路，所述第二电流支路从所述电流镜的所述第二P沟道晶体管的漏极延伸到所述第二双极晶体管的所述集电极；ΔVBE感测电阻器，所述ΔVBE感测电阻器被耦合在所述第二双极晶体管的所述发射极和所述第一双极晶体管的所述发射极之间，其中所述第一双极晶体管的所述发射极是尾电阻器节点的一部分；接地导体；Rtail电阻器电路，所述Rtail电阻器电路被耦合来将来自所述尾电阻器节点的电流传导到所述接地导体；以及电流再分布电路，所述电流再分布电路被耦合来传导来自所述第一电流支路的第一基极再供电电流并且将所述第一基极再供电电流供应到所述基极节点上，并且被耦合到传导来自所述第二电流支路的第二基极再供电电流并且将所述第二基极再供电电流供应到所述基极节点上。
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权利要求：
百度查询： 湍泰半导体香港有限公司 具有基极电流再分布电路的带隙电路
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