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申请/专利权人：深圳市恒运昌真空技术股份有限公司
摘要：本实用新型公开了一种实现气体缓慢且均匀导流的等离子体处理设备，属于等离子体处理技术领域。本实用新型解决了现有技术中因抽气过程中的等离子体对基板刻蚀面过刻蚀的问题。本实用新型包括反应腔、支撑体、进气通道、基板固定座和导流机构；导流机构设置在基板固定座与进气通道之间且在反应腔上均匀分布；导流机构包括依次连接的导气槽、气体管道和风扇；导气槽的进风口斜向上设置；风扇设置在反应腔外；支撑体的顶部设置基板固定座，支撑体的下部侧壁上开设导气槽；支撑体和气体管道均设置在反应腔内。本实用新型的装置避免流动气流中的等离子体对基板刻蚀面的继续刻蚀，不会出现过刻蚀现象，有效提高基板刻蚀面刻蚀的均匀度。
主权项：1.一种实现气体缓慢且均匀导流的等离子体处理设备，其特征在于，包括反应腔1、支撑体3、进气通道5、基板固定座和导流机构；所述导流机构设置在所述基板固定座与所述进气通道5之间，所述导流机构在所述反应腔1上均匀分布；所述导流机构包括导气槽4、气体管道2和风扇12；所述气体管道2的一端与所述导气槽4连通，所述气体管道2的另一端设置所述风扇12；所述导气槽4的进风口斜向上设置；所述风扇12设置在所述反应腔1外；所述支撑体3的顶部设置所述基板固定座，所述支撑体3的下部侧壁上开设所述导气槽4；所述支撑体3和所述气体管道2均设置在所述反应腔1内。
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权利要求：
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