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申请/专利权人：宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司
摘要：本发明提供了一种基于电阻率的硅单晶晶棒分段方法，涉及单晶晶棒加工技术领域，包括步骤1：获取历史中对硅单晶晶棒进行分段的晶棒历史数据；其中，晶棒历史数据包括：晶棒长度、晶棒头尾部电阻率和晶棒分段后各段的头部电阻率和尾部电阻率；步骤2：对晶棒历史数据进行处理，得到针对各电阻率区间的电阻率分布关系；步骤3：根据对待分段硅单晶晶棒目标电阻率区间的要求，利用对应该目标电阻率区间的电阻率分布关系，确定待分段硅单晶晶棒中满足目标电阻率区间要求的目标长度区间；步骤4：按照目标长度区间进行切割分段，得到满足目标电阻率区间要求的硅单晶晶棒。本方案能够提高晶棒分段的准确性，且能够减少资源的浪费。
主权项：1.一种基于电阻率的硅单晶晶棒分段方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：获取历史中对硅单晶晶棒进行分段的晶棒历史数据；其中，所述晶棒历史数据包括：晶棒长度、晶棒头尾部电阻率和晶棒分段后各段的头部电阻率和尾部电阻率；步骤2：对所述晶棒历史数据进行处理，得到针对各电阻率区间的电阻率分布关系；步骤3：根据对待分段硅单晶晶棒目标电阻率区间的要求，利用对应该目标电阻率区间的电阻率分布关系，确定所述待分段硅单晶晶棒中满足所述目标电阻率区间要求的目标长度区间；步骤4：按照所述目标长度区间进行切割分段，得到满足所述目标电阻率区间要求的硅单晶晶棒。
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权利要求：
百度查询： 宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司 基于电阻率的硅单晶晶棒分段方法
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