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申请/专利权人：南京镭芯光电有限公司
摘要：本发明公开了一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，具体包括如下步骤：步骤一、在衬底上生长InP缓冲层，在其上生长InGaAsP四元合金有源层结构，在其上生长InP间隔层，再在其上生长光栅层InGaAsP材料；步骤二、用光刻胶做为掩膜刻蚀光栅层，而后生长光栅盖层InP+腐蚀引导层InGaAsP材料。该一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，通过使用干法+湿法+BOE漂洗的方式，可以最大程度的减少undercut的产生，避免出现生长盲区或漏电通道的产生，在生长反向阻挡层InP材料时，通过引入卤素气体，形成可控的电流限制层形貌，可有效降低漏电通道的产生。
主权项：1.一种新型掩埋异质结激光器的电流限制结构制备方法，其特征在于,具体包括如下步骤：步骤一、在衬底上生长InP缓冲层，在InP缓冲层上生长InGaAsP四元合金有源层结构，在InGaAsP四元合金有源层结构上生长InP间隔层，再在InP间隔层上生长光栅层InGaAsP材料，所述InGaAsP四元合金有源层的结构为：SCH-InGaAsP、QW-InGaAsP、QB-InGaAsP和SCH-InGaAsP多层结构；步骤二、用光刻胶做为掩膜刻蚀光栅层，而后生长光栅盖层InP+腐蚀引导层InGaAsP材料；步骤三、以SiO2做为掩膜，先使用ICP干法刻蚀出台面基本形貌，而后使用湿法HBr+Br2+H2O溶液腐蚀侧壁，获得所需平面台状结构；步骤四、再生长阻挡层前使用BOE清洗5-10s，生长反向阻挡层P型InP材料和N型InP材料，在生长过程中通入卤素气体；步骤五、使用BOE清洗表面剩余SiO2，并使用H3PO4:H2O清洗腐蚀引导层后，再生长P型接触层和包层InP材料，即可完成激光器芯片的外延工艺制备。
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