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申请/专利权人：武汉工程大学
摘要：本发明公开了一种新型酯基噻唑类宽带隙聚合物材料，其结构式见式Ⅰ或式Ⅱ：式中，R1为C1～C20的烷基或烷基上的一个碳原子被氧原子、硫原子中的一种官能团取代；X选自H、Cl或F；R2选自不同长度的烷基链C1～C30；Ar选自呋喃、噻吩、锡吩或并二噻吩；n取值为10～100。本发明所述聚合物材料以BDT基单元为给电子D单元，以含有酯基的噻唑为缺电子单元A；在带隙为1.8～2.0eV范围内具有较好的吸收、较深的最高占有空轨道和良好的溶解性，且涉及的制备成本较低；可用作电子给体材料或者电子传输层材料，在有机太阳能电池、钙钛矿太阳能电池等光电器件领域具有良好的商业化应用前景。
主权项：1.一类酯基噻唑类宽带隙聚合物，其特征在于，它为以BDT为给电子单元和包含含有酯基的噻唑为缺电子单元的宽带隙聚合物，结构式见式I或式II： I；Ⅱ；式中，R1为C1~C20的烷基或烷基上一个碳原子被氧原子或硫原子取代；X选自H、Cl或F；R2选自C1~C30的烷基链；所述缺电子单元选自以下结构： ；其中R2选自碳数为1~30的烷基链；其带隙Eg为1.93eV，为宽带隙聚合物。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 武汉工程大学 一类酯基噻唑类宽带隙聚合物及其在光电器件中的应用
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