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申请/专利权人：ASML荷兰有限公司
摘要：本公开提供了一种用于防止用于极紫外光EUV光刻的光学部件的材料的劣化的方法，所述方法包括以下步骤：将晶片布置在晶片台上；使用极紫外光源产生极紫外光；经由至少一个反射装置将所述极紫外光朝向所述晶片反射，所述至少一个反射装置包括用于向所述极紫外光提供图案的掩模版装置；以及通过提供含氧气体来稳定所述至少一个反射装置的材料。
主权项：1.一种用于防止用于极紫外光EUV光刻的光学部件的材料的劣化的方法，所述方法包括以下步骤：将晶片布置在晶片台上；使用极紫外光源产生极紫外光；经由至少一个反射装置将所述极紫外光朝向所述晶片反射，所述至少一个反射装置包括用于向所述极紫外光提供图案的掩模版装置；以及通过提供含氧气体来稳定所述至少一个反射装置的材料。
全文数据：
权利要求：
百度查询： ASML荷兰有限公司 用于防止用于EUV光刻的光学部件的材料的劣化的方法和系统
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