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一种光电探测器 

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申请/专利权人:知光量芯(苏州)半导体有限公司

摘要:本发明公开了一种光电探测器,包括衬底以及衬底一侧的第一放大单元和第二放大单元;第一放大单元包括第一基极、第一发射区和第一集电区,所述第二放大单元包括第二基极、两个第二发射区和第二集电区;第一集电区复用为所述第二集电区,第一集电区位于衬底一侧,第一集电区包括第一集电分部和第二集电分部;第二基极位于第二集电分部远离衬底一侧,第二基极包括第一基极分部和两个第二基极分部;两个第二发射区分别位于第二基极分部远离第二集电分部一侧;第一发射区位于第二发射区远离第二基极一侧;第一基极位于第一发射区远离第二发射区一侧。采用本发明提供的光电探测器,可以对输入至光电探测器的光电信号进行两次放大,提升整体的探测效果。

主权项:1.一种光电探测器,其特征在于,包括:衬底以及所述衬底一侧的第一放大单元和第二放大单元;第一放大单元包括第一基极、第一发射区和第一集电区,所述第二放大单元包括第二基极、两个第二发射区和第二集电区;所述第一集电区复用为所述第二集电区,所述第一集电区位于所述衬底一侧,所述第一集电区包括第一集电分部和第二集电分部,所述第一集电分部的厚度大于所述第二集电分部的厚度;所述第二基极位于所述第二集电分部远离所述衬底一侧,所述第二基极包括第一基极分部和两个第二基极分部,所述第一基极分部的厚度大于所述第二基极分部的厚度,并且两个所述第二基极分部位于所述第一基极分部的两侧;两个所述第二发射区分别位于所述第二基极分部远离所述第二集电分部一侧;所述第一发射区位于所述第二发射区远离所述第二基极一侧,沿所述光电探测器的厚度方向,所述第一发射区的投影与所述第一基极分部的投影存在交叠,所述第一发射区的投影与所述第二发射区的投影存在第一间隙;所述第一基极位于所述第一发射区远离所述第二发射区一侧,沿所述光电探测器的厚度方向,所述第一基极的投影与所述第二发射区的投影不交叠,同时与所述第一间隙的投影不交叠。

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权利要求:

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