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申请/专利权人：美光科技公司
摘要：本申请涉及用于高灵敏度TSV电阻测量电路的设备及方法。本发明的实施例涉及用于测试可例如用于耦合半导体存储器装置的多个存储器裸片的硅衬底穿孔TSV的电阻的设备及方法。力放大器可选择性地提供沿着网状布线结构且穿过待测试TSV的已知电流。所述力放大器可定位于所述存储器装置的空区域上，而所述网状布线结构可定位于所述装置的层的所述TSV下方的区域中。截波器仪表放大器可选择性地耦合到所述待测试TSV以放大由穿过所述TSV的所述电流产生的跨越所述TSV的电压。所述截波器仪表放大器能够确定所述TSV的小电阻值。
主权项：1.一种设备，其包括：存储器裸片，其包括硅衬底穿孔TSV块，所述TSV块包括TSV；及接口IF裸片，其定位于所述存储器裸片下面，所述IF裸片包括：力放大器，其耦合到所述TSV；及仪表放大器，其包括耦合到所述TSV的第一侧的第一输入及耦合到所述TSV的第二侧的第二输入，其中所述力放大器及所述仪表放大器定位于所述IF裸片的在所述TSV块下面的区域之外的区域上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 美光科技公司 用于高灵敏度TSV电阻测量电路的设备及方法
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