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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

摘要：本申请公开了一种采用SOIBCD工艺集成IGBT器件的方法及半导体器件，其中方法包括：提供一衬底，包括底层硅、绝缘层和顶层硅薄膜；在衬底上定义IGBT器件形成区域；在衬底上生长外延层；在IGBT器件形成区域中的外延层表层形成终端截止环结构、IGBT阱区和载流子存储层；在外延层表层形成浅沟槽隔离；形成第一环形深沟槽结构和第二环形深沟槽结构，其中，第一环形深沟槽结构围成LDMOS器件形成区域，第二环形深沟槽结构围成MOS器件形成区域；形成IGBT栅氧化层；在IGBT阱区中形成多晶硅栅沟槽结构；进行后续工艺，完成IGBT器件、LDMOS器件和MOS器件的制作。本申请通过上述方案，实现了将IGBT器件与SOIBCD工艺进行整合，为智能单片功率集成核心芯片的制造提供了一种解决方案。

主权项：1.一种采用SOIBCD工艺集成IGBT器件的方法，其特征在于，包括：S1：提供一衬底，所述衬底由下至上依次包括底层硅、绝缘层和顶层硅薄膜；S2：采用光刻和刻蚀工艺，刻蚀预定位置的顶层硅薄膜和绝缘层并露出底部的底层硅，以在所述衬底上定义IGBT器件形成区域；S3：在所述衬底上生长外延层，所述外延层的掺杂类型、掺杂浓度均与所述底层硅相同；S4：在所述IGBT器件形成区域中的外延层表层形成终端截止环结构、IGBT阱区和载流子存储层；S5：在所述外延层表层形成浅沟槽隔离，所述浅沟槽隔离位于所述终端截止环结构远离IGBT阱区的一侧；S6：形成第一环形深沟槽结构和第二环形深沟槽结构，其中，所述第一环形深沟槽结构围成LDMOS器件形成区域，所述第二环形深沟槽结构围成MOS器件形成区域，所述第一环形深沟槽结构和第二环形深沟槽结构分别穿过所述浅沟槽隔离；S7：在位于所述IGBT器件形成区域的外延层的表面形成IGBT栅氧化层；；S8：在所述IGBT阱区中形成多晶硅栅沟槽结构；S9：进行离子注入工艺，以在所述LDMOS器件形成区域的外延层中定义LDMOS器件的LDMOS阱区、LDMOS漂移区和体区，并在所述MOS器件形成区域的外延层中定义出MOS器件的阱区；S10：在所述外延层上定义第一多晶硅栅极、第二多晶硅栅极和多晶硅场板，其中，所述第一多晶硅位于所述MOS器件形成区域，所述第二多晶硅栅极位于所述LDMOS器件形成区域，所述多晶硅场板位于所述终端截止环结构上方；S11：进行光刻和离子注入工艺，以在所述外延层表面分别定义LDMOS器件、MOS器件以及IGBT器件三者的高浓度掺杂区域；S12：在所述外延层表面定义MOS器件的正面电极，以及所述IGBT器件的栅极和发射极；S13：对所述衬底进行背面减薄工艺，并在所述衬底背面形成场截止层；S14：依次在所述衬底背面形成空穴发射层和背面金属层。

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