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申请/专利权人：中国海洋大学

摘要：本发明提供一种基于TDLAS和LIBS的物体表面稳定CO同位素及金属元素分布分析仪器，涉及同位素分布分析领域。本发明，包括计算机和固体样品，所述计算机电性连接有激光发射结构、载气供给结构、气体同位素分析结构和温度控制结构，激光发射结构、载气供给结构和气体同位素分析结构之间设置有样品室，所述样品室底部设置有电动三维位移台，所述样品室顶部固定连接有石英窗片，利用可调谐中红外激光吸收光谱TDLAS系统和激光诱导击穿光谱LIBS实现对碳酸盐岩表面CO同位素的高分辨率二维分布分析，通过LIBS光谱对碳酸盐岩金属元素进行分析。

主权项：1.一种基于TDLAS和LIBS的物体表面稳定CO同位素及金属元素分布分析仪器，包括计算机（1）和固体样品（7），其特征在于：所述计算机（1）电性连接有激光发射结构、载气供给结构、气体同位素分析结构和温度控制结构，激光发射结构、载气供给结构和气体同位素分析结构之间设置有样品室（13），所述样品室（13）底部设置有电动三维位移台（22），所述样品室（13）顶部固定连接有石英窗片（14）；激光发射结构包括固体脉冲激光器（2）、光纤耦合器（10）、光谱仪（12）和镜组，固体脉冲激光器（2）发射激光脉冲在镜组作用下照射到样品室（13）内部放置的固体样品（7）上；样品室（13）与载气供给结构之间设置有质量流量控制器（18），样品室（13）与气体同位素分析结构设置有质量流量计（23）；气体同位素分析结构包括多次反射气室（25）和信号发生电路（26），所述信号发生电路（26）电性连接有锁相放大电路（36）和加法器（27），所述加法器（27）电性连接有激光器驱动（28）和激光器温控电路（29），所述激光器驱动（28）和激光器温控电路（29）用于控制半导体红外激光器（30）工作，所述半导体红外激光器（30）一端设置有激光准直器（31）、激光反射镜（32）和Herriot腔镜（33），温度控制结构包括温度探头（42）和温度控制电路（43），所述温度探头（42）安装在多次反射气室（25）一侧探测多次反射气室（25）内部温度，温度控制电路（43）用于控制多次反射气室（25）内部温度；计算机（1）内部设置有分析控制系统，分析控制系统用于控制激光发射结构、载气供给结构、气体同位素分析结构和温度控制结构工作，分析控制系统。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国海洋大学 一种基于TDLAS和LIBS的物体表面稳定C&O同位素及金属元素分布分析仪器