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经由可编程训练序列进行的专用于DRAM的接口校准 

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申请/专利权人:超威半导体公司

摘要:公开了用于由存储器接口系统的定序器训练与DRAM的接口的方法和系统。所公开的技术包括:调度命令序列,该命令序列包括与一个或多个CSR命令交织的DRAM命令;执行所调度的命令序列,其中这些DRAM命令通过该系统的内部数据路径被发送到该DRAM,并且这些CSR命令被发送到该内部数据路径;以及基于由该DRAM命令执行的数据交换来训练该接口,该训练包括对与该接口相关联的操作参数的调整。

主权项:1.一种用于由存储器接口系统的定序器训练与动态随机存取存储器DRAM的接口的方法,所述方法包括:调度命令序列,所述命令序列包括DRAM命令以及控制和状态寄存器CSR命令;执行所调度的命令序列,其中所述DRAM命令通过所述系统的内部数据路径被发送到所述DRAM,并且所述CSR命令被发送到所述内部数据路径;以及基于由所述DRAM命令执行的数据交换来训练所述接口,所述训练包括对与所述接口相关联的操作参数的调整。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 超威半导体公司 经由可编程训练序列进行的专用于DRAM的接口校准

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