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申请/专利权人：山东硅纳新材料科技有限公司

摘要：本发明提供一种h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体及其制备方法，包括原料粉体的混合球磨、喷雾造粒、烧结等步骤。加入Si3N4、AlN、B2O3等高导热陶瓷粉对h‑BN进行改性，通过各原料间的反应从微观结构上对高导热球形陶瓷粉体进行多元复合，制备出一种具有高致密度和高强度的h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体。本发明的制备方法解决了现有技术中需要额外添加粘结剂而引入杂质、颗粒强度低、易破裂导致导热系数降低等问题。制得的h‑BN‑SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体具有高导热、高致密度、高填充量、绝缘性好以及在与高分子材料复合过程中，不会出现破裂的特点，并且对原料要求简单，制备过程危险性小，可实现球型粉体的大量生产制备。

主权项：1.一种h-BN-SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体的制备方法，其特征在于，所述制备方法的具体步骤如下：步骤S1：将h-BN粉体、AlN粉体、Si3N4粉体、B2O3粉体置于装有氧化锆球的球磨罐中，将球磨罐置于球磨机中，并充入保护气体进行球磨，取出后，在300-600℃条件下干燥得到混合粉体；步骤S2：将混合粉体与溶剂进行混合，制成浆料，喷雾造粒后，制得球型粉；对所述喷雾造粒制得的球型粉进行二次造粒处理；所述二次造粒的具体步骤如下：将回转窑升温至450-600℃，升温速率为5-8℃min，调节转速为10-15rmin，再将喷雾造粒后的粉体放入回转窑中，并在回转窑出口处收集热处理后的粉体，重复此过程三次；步骤S3：将热处理后的粉体放入氮化硼坩埚中，并置于高温炉中进行烧结，先升温至700-800℃，升温速率为8-10℃min，继续升温至1300-1600℃，保温1-3h，升温速率为3-6℃min；继续升温至2000-2300℃，保温1-3h，升温速率为1-3℃min；随炉冷却后，取出样品，筛分、干燥即得所述h-BN-SiAlON复合型绝缘高导热球型粉体；其中，在温度升至600℃时，充入保护气体；所述步骤S1中，按质量百分比计，所述h-BN粉体的添加量为40-80%、AlN粉体的添加量为5-30%、Si3N4粉体的添加量为5-30%、B2O3粉体的添加量为5-40%；步骤S1中，所述h-BN粉体的平均粒径为5-20μm，纯度≥99.9%；AlN粉体的平均粒径为0.5-5μm，纯度≥99.9%；Si3N4粉体的平均粒径为0.5-5μm，纯度≥99.9%；B2O3粉体的平均粒径为5-8μm，纯度≥99.9%。

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