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申请/专利权人：重庆幂天通讯设备制造有限责任公司
摘要：本实用新型公开了一种射频多发多收电路单元，包含一功率放大器和一低噪声放大器，所述的功率放大器与低噪声放大器叠加设置。所述的射频多发多收电路单元设置低温腔之中。所述的功率放大器包含第一放射链路和第二放射链路，所述的第一放射链路上设有第一晶体管和第二晶体管，所述的第二放射链路上设有第三晶体管和第四晶体管，所述的低噪声放大器包含第一接收链路和第二接收链路，所述的第一接收链路上设有第五晶体管和第六晶体管，所述的第二接收链路上设有第七晶体管和第八晶体管。该射频多发多收电路单元将发射和接收电路进行叠加，可以实现双向信号的同步处理，收发通道更加紧凑，收发通道集成数量可以更多。
主权项：1.一种射频多发多收电路单元，其特征在于，所述的射频多发多收电路单元包含一功率放大器和一低噪声放大器，所述的功率放大器与低噪声放大器叠加设置，所述的射频多发多收电路单元设置低温腔之中，所述的功率放大器包含第一放射链路和第二放射链路，所述的第一放射链路上设有第一晶体管和第二晶体管，所述的第二放射链路上设有第三晶体管和第四晶体管，所述的低噪声放大器包含第一接收链路和第二接收链路，所述的第一接收链路上设有第五晶体管和第六晶体管，所述的第二接收链路上设有第七晶体管和第八晶体管，所述的第一晶体管的源极与所述的第二晶体管的源极相耦合，所述的第三晶体管的源极与所述的第四晶体管的源极相耦合，所述的第五晶体管的源极与所述的第六晶体管的源极相耦合，所述的第七晶体管的源极与所述的第八晶体管的源极相耦合，所述的第二晶体管的漏极与所述的第五晶体管的漏极相耦合，所述的第四晶体管的漏极与所述的第七晶体管的漏极相耦合，所述的第一晶体管的源极和所述的第三晶体管的源极均接地，所述的第五晶体管的源极和所述的第七晶体管的源极均接地，所述的第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管为场效应管，所述的一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第八晶体管为N沟道场效应管。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆幂天通讯设备制造有限责任公司 一种射频多发多收电路单元
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