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一种高温瞬时液相无压烧结制备高透明度AlON陶瓷的方法 

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申请/专利权人:南昌大学

摘要:本发明涉及透明陶瓷制备技术领域,公开了一种高温瞬时液相无压烧结制备高透明度AlON陶瓷的方法。其包括以下步骤:以纯相AlON粉体为原料,添加烧结助剂,球磨制得D50=3.5‑1.5μm的AlON粉体,干压成型得AlON坯体;AlON坯体在流动氮气环境下,以升温速率v1升温至无压烧结温度T1保温t1时间;以升温速率v2升温至瞬时液相温度T2保温0‑10min;以降温速率v3降温至无压烧结温度T1保温t2时间,制得AlON陶瓷;其中,5℃min≤v1≤15℃min,2℃min≤v2≤4℃min,2℃min≤v3≤4℃min;1900℃≤T1≤2000℃,2030℃≤T2≤2060℃;2h≤t1+t2≤6h,且t1>t2≥0。本发明提供的方法,采用瞬时液相工艺,解决了粗颗粒AlON粉体干压成型、无压烧结工艺所导致的致密度低、透光率不佳的问题,具有较高的实际应用价值。

主权项:1.一种高温瞬时液相无压烧结制备高透明度AlON陶瓷的方法,其特征在于,包括以下步骤:以纯相AlON粉体为原料,添加烧结助剂,球磨制得D50=3.5-1.5μm的AlON粉体,干压成型得AlON坯体;AlON坯体在流动氮气环境下,以升温速率v1升温至无压烧结温度T1保温t1时间;以升温速率v2升温至瞬时液相温度T2保温0-10min;以降温速率v3降温至无压烧结温度T1保温t2时间,制得AlON陶瓷;其中,5℃min≤v1≤15℃min,2℃min≤v2≤4℃min,2℃min≤v3≤4℃min;1900℃≤T1≤2000℃,2030℃≤T2≤2060℃;2h≤t1+t2≤6h,且t1>t2≥0。

全文数据:

权利要求:

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