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申请/专利权人：哈尔滨工业大学
摘要：本发明提供一种重离子辐照影响β‑Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，包括：将外延层中掺杂施主Si元素的β‑Ga2O3在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；检测重离子辐照前后β‑Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β‑Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷；将步骤S3中产生的点缺陷引入β‑Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线。本发明通过将β‑Ga2O3外延晶片的辐照研究与β‑Ga2O3MOSFET器件的模拟研究进行结合，对β‑Ga2O3MOSFET器件抗辐射机理研究产生了显著的效果。
主权项：1.一种重离子辐照影响β-Ga2O3MOSFET器件电化学性能的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1、将外延层中掺杂施主Si元素的β-Ga2O3的外延晶片进行洗涤，然后在室温条件下进行不同注量的重离子辐照；步骤S2、检测重离子辐照前后β-Ga2O3外延晶片的单斜结构、弯曲振动、拉伸模式光学性质和化学结合状态；其中，通过X射线光电子能谱分析技术检测重离子辐照前后β-Ga2O3外延晶片化学结合状态，使用单色铝靶X射线源和校准在284.8eV的标准碳元素结合能作为参考；步骤S3、对步骤S2中得到的实验数据进行总结，得出重离子辐照β-Ga2O3外延晶片后产生的点缺陷以及其衍化过程；其中，通过对比X射线光电子能谱分析测试结果，分析重离子辐照后β-Ga2O3材料中产生的点缺陷；步骤S4、在silvacoTCAD半导体仿真软件的模拟实例中找到β-Ga2O3MOSFET模型，将步骤S3中产生的点缺陷引入所述β-Ga2O3MOSFET模型中，输出模拟电学性能曲线，并进行分析；所述重离子辐照为N离子辐照。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 哈尔滨工业大学 一种重离子辐照影响β-Ga2O3 MOSFET器件电学性能的模拟方法
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