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申请/专利权人：合肥矽迈微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种封装体露金属双面切割方法，包括以下步骤：切割标记制作步骤：多个产品单元排列后整体包封为一板，每个产品单元的内部包封有半导体器件、金属块和焊盘，金属块暴露在包封顶面，焊盘暴露在包封底面，根据板内图形进行等比例涨缩，采用激光烧制定位孔和双面切割辅助线，形成切割对位标记；半切步骤：将板底面粘附在粘接膜上进行单面固定，使用刀片A在切割道进行板顶面的垂直半切工艺，金属块厚度≤半切深度≤1.5倍的金属块厚度，防止金属拉丝毛刺超标；本申请采用激光板边制造通孔，激光烧制双面对位切割线，切割精准，单面半切后反面终切流程，双面毛刺高度在标准范围内，实现产品的侧面焊接要求。
主权项：1.一种封装体露金属双面切割方法，其特征在于，包括以下步骤：切割标记制作步骤：多个产品单元排列后整体包封为一板，每个产品单元的内部包封有半导体器件、金属块和焊盘，金属块暴露在包封顶面，焊盘暴露在包封底面，根据板内图形进行等比例涨缩，采用激光烧制定位孔和双面切割辅助线，形成切割对位标记；半切步骤：将板底面粘附在粘接膜上进行单面固定，使用刀片A在切割道进行板顶面的垂直半切工艺，金属块厚度≤半切深度≤1.5倍的金属块厚度，防止金属拉丝毛刺超标；翻转终切步骤：切割后从粘接膜上将板剥离并上下翻转，此时板半切顶面粘接在粘接膜上，使用刀片B在对应切割道进行板底面的垂直终切工艺，切至半切端部停止，此时板分离为多个产品单元，金属块和焊盘与包封面同一侧面齐平并外露，终切无需切到粘接膜，避免切割残胶。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 合肥矽迈微电子科技有限公司 一种封装体露金属双面切割方法
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