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申请/专利权人：国科大杭州高等研究院
摘要：本发明的一种优化MCT探测器性能的低温低噪声前置放大器及器放大方法，包括电源电路和信号放大电路，所述电源电路中包括第一NMOS晶体管M3作为开关元件，其栅极接收来自低噪声偏置电压Vbias的信号，通过调控可编程偏置电阻串Rbias阻值调节NMOS晶体管电流，构成偏置电流源IBIAS提供稳定偏置电流；所述信号放大电路包括动态电阻Rd、调节式共源共栅结构RGC、可编程旁路电阻串Rbypa、可编程增益电阻串Ramp以及串入并出移位寄存器SIPOSR。本发明的一种优化MCT探测器性能的低温低噪声前置放大器及器放大方法实现了基于全CMOS电路的低温低噪声、低输入阻抗的前置放大器。
主权项：1.一种优化MCT探测器性能的低温低噪声前置放大器，其特征在于，所述前置放大器包括：偏置单元、隔直及增益单元、输出缓冲单元和码值控制单元；所述偏置单元通过外置低噪声电压调控支路电流，支路电流调控偏置管的栅源电压差，其恒定电压差施加在外置的MCT光电导型探测器两端，使光电导型探测器随光强变化产生的电阻变化转换为交直流混合的电流信号；所述隔直及增益单元首先通过隔直部分将偏置单元产生的电流信号中的交流量提取出来，该交流量即经过探测器光电转化得到的原始信号，得到原始信号后,该隔直及增益单元再通过增益部分得到放大后的信号；所述输出缓冲单元将隔直及增益单元产生的放大后信号进行缓冲输出，以增强信号的驱动能力，增强信号完整性；所述数值控制单元通过外部仪器按时序输入二进制码值对各单元内的可编程电阻串的阻值进行调节，使得电路工作在正确工作点上，并控制电路中信号增益倍数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 国科大杭州高等研究院 一种优化MCT探测器性能的前置放大器及其放大方法
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