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申请/专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底上悬置有沟道层结构，沟道层结构包括一层或多层间隔设置的沟道层，沿沟道层的延伸方向，沟道层两侧形成有与沟道层端部相接触的源漏掺杂层；沿沟道层结构露出的侧壁对沟道层进行第一离子注入处理，形成位于沟道层中的第一掺杂离子，第一掺杂离子与源漏掺杂层的掺杂离子的类型不同；进行第一离子注入处理后，在基底上形成横跨沟道层结构并环绕沟道层的栅极结构。本发明有利于提高半导体结构的工作性能。
主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：基底；沟道层结构，悬置于所述基底上方，所述沟道层结构包括一层或多层间隔设置的沟道层，所述沟道层中具有第一掺杂离子；栅极结构，位于所述基底上，所述栅极结构横跨所述沟道层结构并环绕所述沟道层；源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧，且与所述沟道层端部相接触，所述源漏掺杂层的掺杂离子与所述第一掺杂离子的类型不同。
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百度查询： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 半导体结构及其形成方法
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