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申请/专利权人：友达光电股份有限公司
摘要：本发明公开一种薄膜晶体管及其制造方法，薄膜晶体管包括基板、第一源极漏极、补氧结构、隔离结构、第二源极漏极、半导体结构、栅介电层以及栅极。第一源极漏极位于基板之上。补氧结构位于第一源极漏极之上。隔离结构接触补氧结构的顶面，且具有重叠于第一源极漏极的通孔。第二源极漏极位于隔离结构上。半导体结构从第二源极漏极延伸进通孔中，且半导体结构电连接第一源极漏极与第二源极漏极。栅介电层位于半导体结构上。栅极位于栅介电层上。
主权项：1.一种薄膜晶体管，包括：基板；第一源极漏极，位于该基板之上；补氧结构，位于该第一源极漏极之上；隔离结构，接触该补氧结构的顶面，且具有重叠于该第一源极漏极的通孔；第二源极漏极，位于该隔离结构上；半导体结构，从该第二源极漏极延伸进该通孔中，且该半导体结构电连接该第一源极漏极与该第二源极漏极；栅介电层，位于该半导体结构上；以及栅极，位于该栅介电层上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管及其制造方法
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