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申请/专利权人：矽电半导体设备(深圳)股份有限公司
摘要：本申请实施例提供了一种扎针高度动态调整方法、装置和测试平台，属于半导体测试技术领域。该方法包括：从被测单元的多个晶粒中选取第一晶粒并将其设置为目标晶粒；获取第一预置高度并将其设置为目标高度；控制探针移动至目标高度，控制探针下移预设步距，以使探针接触目标晶粒，使电流源向目标晶粒提供电流；获取目标晶粒的电流值，根据电流值得到目标晶粒的测试结果；通过压力传感器测量目标晶粒表面的压力值，得到测量压力值；根据目标高度、测量压力值和标准压力值得到第二预置高度并将其设为目标高度；选取第二晶粒，将第二晶粒设为目标晶粒，返回控制探针移动至目标高度的步骤。本申请实施例能够提高扎针测试的稳定性以及准确性。
主权项：1.一种测试平台，其特征在于，所述测试平台包括：承片台，用于放置被测单元；其中，所述被测单元具有多个晶粒；探边器，所述探边器包括探针，所述探针用于对所述被测单元进行测试；压力传感器，所述压力传感器与所述探边器连接，所述压力传感器用于采集所述探针与所述被测单元表面的压力；电流源，所述电流源与所述探边器电连接；控制器，所述控制器与所述探边器、所述压力传感器和所述承片台通信连接，所述控制器用于：从所述被测单元的多个晶粒中选取第一晶粒，将所述第一晶粒设置为目标晶粒；获取第一预置高度，将所述第一预置高度设置为目标高度；控制所述探针移动至所述目标高度，并且控制所述探针下移预设步距，以使所述探针接触所述目标晶粒，并且使所述电流源向所述目标晶粒提供电流；获取所述目标晶粒的电流值，根据所述电流值得到所述目标晶粒的测试结果；通过所述压力传感器测量所述目标晶粒表面的压力值，得到测量压力值；根据所述目标高度、所述测量压力值和预设的标准压力值进行高度计算，得到第二预置高度，将所述第二预置高度设置为所述目标高度；从所述被测单元的多个晶粒中选取与所述第一晶粒相邻的晶粒，得到第二晶粒，将所述第二晶粒设置为目标晶粒，并且返回控制所述探针移动至所述目标高度的步骤。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 矽电半导体设备(深圳)股份有限公司 扎针高度动态调整方法、装置和测试平台
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