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申请/专利权人：深圳市威斯普科技有限公司

摘要：本发明涉及过压保护领域，具体涉及一种基于MOS管输入的过压保护装置，当输入电源电压过高时，能够及时切断输出，实现及时有效的过压保护。技术方案包括整流模块、放电模块、耐受电压模块以及触发模块，所述整流模块包括整流桥BD1、二极管D1以及第二MOS管Q2，所述整流桥BD1的第一输入端a与输入电源的零线端N连接，整流桥的第二输入端b与输入电源的火线端L连接，整流桥的第一输出端d与耐受电压模块连接，整流桥的第二输出端c与第二MOS管Q2的源级连接，第二MOS管Q2的漏极与耐受电压模块连接，第二MOS管Q2的栅极与触发模块连接，整流桥的第一输出端d还与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极与触发模块连接。本发明适用于过压保护。

主权项：1.基于MOS管输入的过压保护装置，其特征在于，包括整流模块、放电模块、耐受电压模块以及触发模块，所述整流模块包括整流桥BD1、二极管D1以及第二MOS管Q2，所述整流桥BD1的第一输入端a与输入电源的零线端N连接，整流桥的第二输入端b与输入电源的火线端L连接，整流桥的第一输出端d与耐受电压模块连接，整流桥的第二输出端c与第二MOS管Q2的源级连接，第二MOS管Q2的漏极与耐受电压模块连接，第二MOS管Q2的栅极与触发模块连接，整流桥的第一输出端d还与二极管D1的阳极连接，二极管D1的阴极与触发模块连接；所述触发模块包括第一MOS管Q1、稳压二极管ZD1、第一有极电容EC1、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第六电阻R6、第八电阻R8、第十电阻R10、第十一电阻R11、第十二电阻R12、第十三电阻R13，二极管D1的阴极通过第十二电阻R12、第十三电阻R13、第二电阻R2以及第八电阻R8接地，二极管D1的阴极还通过第十一电阻R11、第十电阻R10、第六电阻R6以及第三电阻R3接地，第二MOS管Q2的栅极与第一MOS管Q1的漏极连接，第一MOS管Q1的源级接地，第一MOS管Q1的栅极通过第一有极电容EC1接地，第一MOS管Q1的栅极还通过第一电阻R1与稳压二极管ZD1的阳极连接，稳压二极管ZD1的阴极连接在第六电阻R6与第三电阻R3之间；当输入电压达到设定值时，二极管D1、第十一电阻R11、第十电阻R10、第六电阻R6、第三电阻R3进行分压，此时稳压二极管ZD1导通，导通后通过第一电阻R1与第一有极电容EC1后使得第一MOS管Q1的漏极-源级对地处于导通状态，第二MOS管Q2栅极电压被拉低到0V，此时第二MOS管Q2由导通状态变为截止状态，则切断了整流桥BD1的输出，完成了过压保护。

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